一种SiC多级阶梯分裂栅沟槽MOSFET器件及其制作方法
专利号：
CN202310401941.5技术领域：
其他申请日期：
2023-04-17专利类型：
发明专利交易类型 ：
待定发明人：
陈显平;钱靖
专利摘要
本申请提供了一种SiC多级阶梯分裂栅沟槽MOSFET器件及其制作方法。通过设置接地的分裂栅结构将栅极与漂移区和漏极隔离开来，致使Cgd和Qgd大幅降低，通过设置多级阶梯型的分裂栅结构，进一步降低器件的Cgd和Qgd，使得SiC沟槽MOSFET的高频性能发挥到极致。在器件设计上，根据栅极沟槽的宽度、深度，以及器件元胞的尺寸来确定阶梯型的具体阶数以及阶梯的高度和宽度，使得器件设计更加灵活方便。